Samsung у рамках Tech Day 2021 поділилася інформацією про розробку пам'яті наступних поколінь.
На жаль, немає жодних слайдів або фотографій із заходу, оскільки умови конфіденційності Samsung не дозволяли їх робити. Тож доводиться задовольнятися лише передачею слів інженерів та керівників компанії.
Поки пам'ять DDR5 є новинкою і лише починає виходити на ринок, Samsung вже працює над оперативної пам'яттю наступного покоління. Як очікується, пам'ять DDR6 забезпечить удвічі більшу швидкість і пропускну здатність. Стандарт DDR6 ще не формалізований організацією JEDEC, однак стандартні специфікації повинні забезпечувати швидкість передачі даних близько 12800 Мбіт/с. Samsung підтверджує, що технологія перебуває в ранній стадії розробки, тому цифри, представлені компанією, ймовірно, зміняться. Проте, цілком очікується появи розігнаної пам'яті DDR6 зі швидкістю до 17000 Мбіт/с. Також повідомляється, що оперативна пам'ять DDR6 матиме 4 канали на модуль (удвічі більше в порівнянні з DDR5), а кількість банків пам'яті збільшиться до 64, що в 4 рази більше в порівнянні зі стандартом DDR4.
Samsung також розкрила інформацію про стандарти пам'яті, що прийдуть на зміну GDDR6. Зважаючи на все, зараз компанія розробляє стандарт GDDR6+, який забезпечить швидкість передачі даних до 24 Гбіт/с. Це вище можливостей стандарту GDDR6 (18 Гбіт/с).
Крім того, в розробці знаходиться пам'ять стандарту GDDR7, хоча термін її появи поки не називається. Ця технологія повинна збільшити пропускну здатність пам'яті до 32 Гбіт/с та забезпечити «функцію захисту від помилок у реальному часі». Докладніші відомості не повідомляються.
Додатково повідомляється, що Samsung розпочне масове виробництво пам'яті HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) у другому кварталі 2022 року. Пам'ять GDDR6 планується незабаром запустити у виробництво із застосуванням техпроцесу Samsung 1z нм.
Джерело: itc.ua
