Компания Samsung сообщила о создании графической памяти нового типа GDDR6W. Основными сферами её применения называют высокопроизводительные графические решения и приложения виртуальной реальности.
Новая память GDDR6W основана на решениях Samsung GDDR6 (x32) и дополнена технологией Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая значительно увеличивает пропускную способность и ёмкость памяти при сохранении прежних размеров упаковки. Благодаря неизменной занимаемой площади новые микросхемы памяти можно легко использовать в тех же производственных процессах, которые клиенты использовали для памяти GDDR6.
Компания Samsung сообщила о создании графической памяти нового типа GDDR6W. Основными сферами её применения называют высокопроизводительные графические решения и приложения виртуальной реальности.
Новая память GDDR6W основана на решениях Samsung GDDR6 (x32) и дополнена технологией Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая значительно увеличивает пропускную способность и ёмкость памяти при сохранении прежних размеров упаковки. Благодаря неизменной занимаемой площади новые микросхемы памяти можно легко использовать в тех же производственных процессах, которые клиенты использовали для памяти GDDR6.
Отмечается, что технология GDDR6W может поддерживать пропускную способность уровня HBM на системном уровне. Так, HBM2E обеспечивает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с на контакт и имеет пропускную способность на системном уровне 1,6 ТБ/с. Для GDDR6W эти показатели составляют 22 Гбит/с на контакт и 1,4 ТБ/с на системном уровне на основе 512 контактов ввода-вывода.
Samsung завершила стандартизацию GDDR6W в организации JEDEC во втором квартале этого года. Компания намерена расширить сферу применения GDDR6W на устройства малого форм-фактора, такие как ноутбуки, а также на новые высокопроизводительные ускорители, используемые для приложений ИИ и HPC.
Источник: itc.ua
