Samsung офіційно представила нове покоління оперативної пам’яті LPDDR5X DRAM, пропускна здатність якої становить 10,7 Гбіт/с.
Нове покоління памʼяті на 25% швидше, ніж LPDDR5X першого покоління, і спрямоване на підвищення продуктивності АІ для мобільних пристроїв з локальним апаратним прискоренням нейронної обробки.
Як зазначається, нова оперативна пам’ять Samsung LPDDR5X зі швидкістю 10,7 Гбіт/с є найшвидшою версією низькопрофільного стандарту DDR5 на сьогодні. Вона швидша за LPDDR5X першого покоління Samsung, яка розвивала швидкість до 8533 МТ/с (8,5 Гбіт/с), і швидша за LPDDR5X 9,6 Гбіт/с від Micron.
Для виробництва нових модулів LPDDR5X (10,7 Гбіт/с) Samsung використовує власний техпроцес 12 нм.
«Очікується, що в міру зростання попиту на високопродуктивну пам’ять з низьким енергоспоживанням LPDDR DRAM розширить сферу свого застосування з переважно мобільних пристроїв до інших областей, які традиційно вимагають більш високої продуктивності та надійності, таких як ПК, прискорювачі, сервери та автомобілі, - сказав ЙонгЧеол Бэ (YongCheol Bae), виконавчий віцепрезидент з планування продуктів пам’яті в Samsung Electronics. - Samsung продовжить впроваджувати інновації та створювати оптимізовані продукти для майбутньої ери штучного інтелекту на пристроях завдяки тісній співпраці з клієнтами».
Окрім високої продуктивності, нова пам’ять Samsung LPDDR5X DRAM зі швидкістю 10,7 Гбіт/с також на 25% енергоефективніша за попереднє покоління завдяки спеціальній технології енергозбереження, яка регулює енергоспоживання відповідно до вимог робочого навантаження. Також збільшено інтервали між режимами низького енергоспоживання, що подовжує час роботи нової пам’яті Samsung LPDDR5X в відповідному режимі. Ємність також збільшено до 32 ГБ на модуль - тобто на 30%, ніж у модулів LPDDR5X попереднього покоління.
Samsung заявила, що масове виробництво нової LPDDR5X почнеться в другій половині 2024 року. Таким чином, скоріше всього, модулі з новими чипами з’являться в мобільних пристроях до кінця цього року.
Джерело: ko.com.ua
