Компанія Micron Technology оголосила про випуск пам'яті DDR5 RDIMM об'ємом 128 ГБ продуктивністю до 8000 МТ/с для підтримки робочих навантажень у центрах обробки даних. Ці високошвидкісні модулі пам'яті великої місткості розроблено для задоволення потреб у продуктивності та обробці даних широкого спектра критично важливих застосунків у центрах оброблення даних і хмарних середовищах, включно зі штучним інтелектом (AI), базами даних у пам'яті (IMDB) та ефективним опрацюванням багатопотокових, багатоядерних обчислювальних навантажень загального призначення.

Створена на основі фірмової технології 1β (1-beta), пам'ять 128 ГБ DDR5 RDIMM володіє наступними перевагами порівняно з конкуруючими продуктами з наскрізними кремнієвими переходами (TSV):
- більш ніж на 45% поліпшено щільність бітів;
- підвищення енергоефективності на 24%;
- зниження затримки до 16%;
- підвищення продуктивності навчання штучного інтелекту на 28%.
 
"Ми пишаємося тим, що встановлюємо новий стандарт для високошвидкісної пам'яті великої місткості в центрі обробки даних за допомогою модулів DDR5 RDIMM об'ємом 128 ГБ, які забезпечують пропускну спроможність і місткість пам'яті, необхідні для дедалі більш інтенсивних обчислювальних навантажень", - сказав Правін Вайдьянатан, віцепрезидент і генеральний менеджер групи обчислювальних продуктів Micron. "Компанія продовжує вдосконалювати екосистему центрів обробки даних, надаючи ранній доступ до наших передових технологій і надаючи підтримку в розробці та інтеграції передових рішень на базі пам'яті високої ємності".

Зазначається, що в чипах пам'яті DDR5 об'ємом 32 Гб Micron використовує інноваційні варіанти архітектури матриці, що забезпечують кращу ефективність масиву і найщільнішу монолітну матрицю DRAM. Функції керування доменом напруги та оновленням допомагають оптимізувати мережу живлення, забезпечуючи таке необхідне підвищення енергоефективності. Крім того, співвідношення розмірів матриці було оптимізовано для підвищення ефективності виробництва матриці DRAM місткістю 32 Гб.

Завдяки використанню інтелектуальних методів виробництва, заснованих на штучному інтелекті, для реалізації цих інновацій світового класу технологічний вузол 1β Micron досяг зрілості виробництва в найкоротші терміни за всю історію компанії. Модулі RDIMM місткістю 128 ГБ поставлятимуться в платформи зі швидкістю 4800 МТ/с, 5600 МТ/с і 6400 МТ/с у 2024 році, а в майбутньому їх використовуватимуть у платформах зі швидкістю до 8000 МТ/с.

"Наші новітні процесори AMD EPYC 4-го покоління отримають перевагу завдяки оптимізації об'єму пам'яті на ядро завдяки модулів 128 ГБ RDIMM від Micron, у яких використовується монолітна DRAM місткістю 32 Гб, що дає змогу підвищити сукупну вартість володіння для критично важливих робочих навантажень підприємства, як-от AI, високопродуктивні обчислення та віртуалізація", - сказав Ден Макнамара, старший віцепрезидент AMD і генеральний менеджер підрозділу Server Business Unit. "У міру того, як AMD буде вдосконалювати обчислення за допомогою наших процесорів EPYC нового покоління, 128-гігабайтні модулі RDIMM компанії Micron, ймовірно, стануть одним з основних варіантів пам'яті, що забезпечують високу ємність і пропускну здатність на ядро для задоволення потреб додатків, які інтенсивно використовують пам'ять".

"Ми з нетерпінням чекаємо появи 128-гігабайтних модулів RDIMM на базі чіпів 32 Гб від Micron, які забезпечать переваги пропускної здатності та продуктивності на Ват, доступні на ринку серверів і систем штучного інтелекту. Intel оцінює можливості використання пам'яті 32 Гб для ключових серверних платформ DDR5 з огляду на переваги сукупної вартості володіння для хмарних систем, систем штучного інтелекту та корпоративних замовників", - сказав д-р Дімітріос Зіакас, віцепрезидент Intel із технологій пам'яті та вводу-виводу.

Заявлено, що чіпи Micron 32Gb-DRAM дадуть змогу в майбутньому розширити портфель пам'яті завдяки збільшеній пропускній спроможності та енергоефективним продуктам MCRDIMM і MRDIMM стандарту JEDEC ємністю 128 ГБ, 256 ГБ і вище. Завдяки передовим технологічним і конструкторським інноваціям Micron пропонує широкий спектр варіантів пам'яті у формфакторах RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL і LP, що дає змогу замовникам інтегрувати оптимізовані рішення для застосунків штучного інтелекту та високопродуктивних обчислень (HPC), які відповідають їхнім вимогам щодо пропускної спроможності, місткості та оптимізації енергоспоживання.

 

Джерело: ko.com.ua